.RU

Таблица 3 - Программы и задания на 2004/2005 учебный год 4 курс


Таблица 3 Основные формулы для расчетов

Эффективная масса плотности состояний в зоне проводимости



Эффективная масса плотности состояний в валентной зоне


Эффективная масса для расчета проводимости

Эффективная плотность состояний в зоне проводимости

Эффективная плотность состояний в валентной зоне

Функция распределения ФермиДирака



Концентрация носителей заряда в невырожденном полупроводнике

Закон действующих масс

Функция распределения электронов на примесных состояниях доноров (fD) и акцепторов (fA)

Проводимость

Тепловой потенциал

Соотношение Эйнштейна

Уравнение электронейтральности




^ Экзаменационные вопросы

  1. Зонная структура твердых тел. Чем отличаются металл, диэлектрик и полупроводник с точки зрения зонной теории?

  2. Образование энергетических зон в твердом теле. Разрешенные и запрещенные зоны. Волновой вектор и закон дисперсии.

  3. Понятие дырки в модели энергетических зон и электронных связей.

  4. Типы кристаллических решеток. Обратная решетка, индексы Миллера кристаллографических плоскостей и направлений.

  5. Закон дисперсии свободных носителей в полупроводниках. Приближение эффективной массы. Анизотропия эффективной массы.

  6. Прямозонные и непрямозонные полупроводники с точки зрения зонной структуры и закона дисперсии. Многодолинные полупроводники. Зонная структура наиболее важных полупроводников Si, Ge, GaAs.

  7. Собственные и примесные полупроводники. Примеси акцепторного и донорного типа. Почему нельзя увеличить одновременно концентрацию электронов и дырок в полупроводнике путем одновременного введения примесей донорного и акцепторного типа? Компенсация.

  8. Основные и неосновные носители. Закон действующих масс. Чему равна концентрация не основных носителей, если концентрация основных носителей известна?

  9. Статистика свободных носителей при тепловом равновесии: функция распределения, уровень химического потенциала. Связь химического потенциала с концентрацией электронов и дырок.

  10. Вырожденные и невырожденные полупроводники. Критерий применимости классической статистики.

  11. Понятие "эффективная плотность состояний". Как оценить ее по порядку величины? Почему Nc зависит от температуры? Эффективная масса для расчета плотности состояний в прямозонных и не прямозонных полупроводниках.

  12. Условие электронейтральности. Расчет концентрации свободных носителей в полупроводниках.

  13. Температурная зависимость химического потенциала в собственном полупроводнике. При какой концентрации доноров (акцепторов) полупроводник можно считать собственным?

  14. Температурная зависимость химического потенциала в примесном полупроводнике донорного (акцепторного) типа при низких температурах.

  15. Расчет уровня химпотенциала при температурах выше комнатной.

  16. Понятие подвижности, ее связь с эффективной массой и временем релаксации.

  17. Проводимость, ее связь с подвижностью носителей. Понятие эффективной массы для расчета проводимости в полупроводнике с анизотропным законом дисперсии.

  18. Механизмы рассеяния и подвижность. Подвижность в случае действия нескольких механизмов рассеяния.

  19. Дрейф в электрическом поле. Механизмы насыщения дрейфовой скорости.

  20. Явление перехода электронов в боковые долины в GaAs. Эффект Ганна.

  21. Диффузия свободных носителей. Соотношение Эйнштейна.

  22. Основные уравнения, описывающие движение свободных носителей. Связь между коэффициентом диффузии и подвижностью. Диэлектрическая релаксация.

  23. Дрейф и диффузия неравновесных носителей в полупроводниках: основное уравнение, амбиполярный коэффициент диффузии и подвижность.

  24. Специфические свойства системы Si-SiO2, позволившие занять кремнию ведущее положение в микроэлектронике.

  25. Основные элементы планарной технологии на кремнии: выращивание монокристаллов, изготовление пластин, создание диэлектрического покрытия, фотолитография, селективное травление, легирование (ионное и термодиффузия), металлизация, скрайбирование.

  26. Порядок построения зонной диаграммы контакта металл - полупроводник (работа выхода, электронное сродство, уровень химического потенциала).

  27. Запирающий контакт металл - полупроводник Шотки: зонная диаграмма в приближении области обеднения, ход электрического поля и потенциала в области объемного заряда.

  28. Емкость обратно смещенного барьера Шотки. Определение концентрации легирующей примеси и высоты барьера из измерений вольт-фарадной характеристики. Варикап.

  29. Вольт - амперная характеристика идеального барьера Шотки.

  30. Омический контакт к полупроводнику: идеальный омический контакт Шотки и туннельный контакт.

  31. Зонная диаграмма p-n перехода. Внутреннее электрическое поле и потенциал в зависимости от уровня легирования. Толщина слоя обеднения в p- и n-областях.

  32. Обратно смещенный p-n переход: энергетическая диаграмма, электрическое поле, емкость.

  33. Туннельный и лавинный пробой обратно смещенного p-n перехода: стабилитрон.

  34. Вольт-амперная характеристика p-n перехода: дырочная и электронная компоненты тока. Явление инжекции не основных носителей.

  35. Биполярный транзистор: энергетическая диаграмма, принцип работы.

  36. Основные параметры, характеризующие работу биполярного транзистора: коэффициенты инжекции и переноса тока через базу. Коэффициент передачи транзистора по току в схеме с ОБ и коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ.

  37. Система металл - окисел - полупроводник: энергетическая диаграмма в случаях обогащения, обеднения и инверсии.

  38. Емкость структуры металл-окисел-полупроодник в зависимости от напряжения.

  39. Накопление заряда в МОП структуре в режиме "инверсия". Приборы с зарядовой связью.

  40. Полевой транзистор с изолированным затвором на основе структуры металл-окисел-полупроводник (МОП-транзистор).

  41. Транзисторы на основе структур GaAs-AlGaAs с высокоподвижным электронным газом: зонная диаграмма, принцип работы.

  42. Принцип работы силовых транзисторов со статической индукцией с вертикальным каналом.

the-discovery-of-the-unconsciouns-stranica-6.html
the-downfall-of-china-essay-research-paper.html
the-english-language-centre-mezhdunarodnij-molodezhnij-centr-gruppovoj-zaezd-151-vozrast-ot-16-let.html
the-f-oreign-experience-of-organization-and-financing-of-the-state-private-partnership.html
the-filiatra-legacy-novosti-mirovogo-i-rossijskogo-sudohodstva.html
the-formation-of-professional-communicative-a-a-pimerzin-zamestiteli-glavnogo-redaktora.html
  • writing.bystrickaya.ru/korupciyata-biologichna-programa-lobizmt-civilizacionen-metod-11-iii-sshnost-struktura-i-sdrzhanie-na-lobistkata-dejnost-28-iv.html
  • notebook.bystrickaya.ru/gruppa-c-94-fio-valinovskij-dmitrij-yurevich.html
  • university.bystrickaya.ru/glava-vtoraya-1-celi-zadachi-upravleniya-zemelnimi-resursami-8.html
  • laboratornaya.bystrickaya.ru/rabota-logopeda-po-formirovaniyu-leksiko-grammaticheskogo-stroya-rechi-u-slaboslishashih-detej-doshkolnogo-vozrasta-chast-2.html
  • zanyatie.bystrickaya.ru/problemi-zahistu-nformac-v-internet.html
  • diploma.bystrickaya.ru/ya-v-vostorge-ot-vashih-kazakov-iz-istorii-12-go-donskogo-kazachego-polka.html
  • essay.bystrickaya.ru/chast-1-misteriya-sinhronii-issledovanie-kosmicheskogo-soznaniya-moya-pervaya-vstrecha-s-lsd.html
  • composition.bystrickaya.ru/perspektivnie-napravleniya-razvitiya-geoinformatiki-i-gis-tehnologij.html
  • shpargalka.bystrickaya.ru/urok-geografii-v-6-klasse-podzemnie-vodi.html
  • lesson.bystrickaya.ru/sbornik-statej-po-osnovnomu-bogosloviyu-i-apologetike-svidetelstva-izvestnih-uchenih-stranica-3.html
  • turn.bystrickaya.ru/otchet-o-provedenii-gorodskoj-nauchno-prakticheskoj-konferencii-24-iyunya-2009-g-volgmu.html
  • notebook.bystrickaya.ru/karl-marks-iskusstvo-i-obshestvennij-ideal-stranica-7.html
  • write.bystrickaya.ru/glava-102-kod-da-vinchi.html
  • spur.bystrickaya.ru/kratkoe-soderzhanie-1-stranica-9.html
  • pisat.bystrickaya.ru/sto-pudov-181-ot-290109-g-sto-pudov-178-ot-10-01-09-g.html
  • ucheba.bystrickaya.ru/poyasnitelnaya-zapiska-k-proektu-zakona-chuvashskoj-respubliki-o-respublikanskom-byudzhete-chuvashskoj-respubliki-na-2011-god-i-na-planovij-period-2012-i-2013-godov-stranica-3.html
  • reading.bystrickaya.ru/marij-el-avtodorozhnij-tehnikum.html
  • portfolio.bystrickaya.ru/perechen-prilozhenij-knigi.html
  • thescience.bystrickaya.ru/ii-zhizh-poyavlenie-zhizni-per-tejyar-de-sharden.html
  • literature.bystrickaya.ru/enciklopedicheskij-spravochnik-stranica-5.html
  • tests.bystrickaya.ru/lekcii-po-fakultetskoj-terapii.html
  • letter.bystrickaya.ru/naimenovanie-etapa-rabot-konkursnaya-dokumentaciya.html
  • turn.bystrickaya.ru/polnoe-sobranie-russkih-letopisej-stranica-33.html
  • tetrad.bystrickaya.ru/uchyonij-i-praktik-polkovnik-medicinskoj-sluzhbi-zapasa-uchastnik-likvidacii-mediko-sanitarnih-posledstvij-avarij-na-himicheski-opasnih-obektah-i-navodnenij-v-dal-stranica-16.html
  • znaniya.bystrickaya.ru/razdel-4-istochniki-po-istorii-rossii-vtoroj-polovini-rabochaya-programma-po-discipline-istochnikovedenie-istorii.html
  • zanyatie.bystrickaya.ru/pismennaya-slovesnost.html
  • knowledge.bystrickaya.ru/novij-dialog-cheloveka-s-prirodoj.html
  • laboratornaya.bystrickaya.ru/razdel-iii-iniciativnie-razrabotki-avtorov-nauchno-prakticheskoe-posobie-material-podgotovlen-s-ispolzovaniem.html
  • grade.bystrickaya.ru/nagrazhdenie-plan-massovih-meropriyatij-so-shkolnikami.html
  • testyi.bystrickaya.ru/avtoreferat-tema-individualno-orientirovannaya-sistema-obucheniya-na-urokah-himii.html
  • obrazovanie.bystrickaya.ru/profilaktika-beznadzornosti-i-pravonarushenij-sredi-nesovershennoletnih.html
  • teacher.bystrickaya.ru/etnicheskie-stereotipi-vozniknovenie-i-razvitie-etnopsihologii.html
  • prepodavatel.bystrickaya.ru/statya-6-poryadok-pogasheniya-kredita-instrukciya-po-podgotovke-zayavki-na-uchastie-v-konkurse-1.html
  • paragraph.bystrickaya.ru/metodicheskie-rekomendacii-po-napisaniyu-vipusknoj-attestacionnoj-raboti-po-specialnosti-upravlenie-finansami.html
  • otsenki.bystrickaya.ru/spisok-pobeditelej.html
  • © bystrickaya.ru
    Мобильный рефератник - для мобильных людей.