.RU

Таблица 3 - Программы и задания на 2004/2005 учебный год 4 курс


Таблица 3 Основные формулы для расчетов

Эффективная масса плотности состояний в зоне проводимости



Эффективная масса плотности состояний в валентной зоне


Эффективная масса для расчета проводимости

Эффективная плотность состояний в зоне проводимости

Эффективная плотность состояний в валентной зоне

Функция распределения ФермиДирака



Концентрация носителей заряда в невырожденном полупроводнике

Закон действующих масс

Функция распределения электронов на примесных состояниях доноров (fD) и акцепторов (fA)

Проводимость

Тепловой потенциал

Соотношение Эйнштейна

Уравнение электронейтральности




^ Экзаменационные вопросы

  1. Зонная структура твердых тел. Чем отличаются металл, диэлектрик и полупроводник с точки зрения зонной теории?

  2. Образование энергетических зон в твердом теле. Разрешенные и запрещенные зоны. Волновой вектор и закон дисперсии.

  3. Понятие дырки в модели энергетических зон и электронных связей.

  4. Типы кристаллических решеток. Обратная решетка, индексы Миллера кристаллографических плоскостей и направлений.

  5. Закон дисперсии свободных носителей в полупроводниках. Приближение эффективной массы. Анизотропия эффективной массы.

  6. Прямозонные и непрямозонные полупроводники с точки зрения зонной структуры и закона дисперсии. Многодолинные полупроводники. Зонная структура наиболее важных полупроводников Si, Ge, GaAs.

  7. Собственные и примесные полупроводники. Примеси акцепторного и донорного типа. Почему нельзя увеличить одновременно концентрацию электронов и дырок в полупроводнике путем одновременного введения примесей донорного и акцепторного типа? Компенсация.

  8. Основные и неосновные носители. Закон действующих масс. Чему равна концентрация не основных носителей, если концентрация основных носителей известна?

  9. Статистика свободных носителей при тепловом равновесии: функция распределения, уровень химического потенциала. Связь химического потенциала с концентрацией электронов и дырок.

  10. Вырожденные и невырожденные полупроводники. Критерий применимости классической статистики.

  11. Понятие "эффективная плотность состояний". Как оценить ее по порядку величины? Почему Nc зависит от температуры? Эффективная масса для расчета плотности состояний в прямозонных и не прямозонных полупроводниках.

  12. Условие электронейтральности. Расчет концентрации свободных носителей в полупроводниках.

  13. Температурная зависимость химического потенциала в собственном полупроводнике. При какой концентрации доноров (акцепторов) полупроводник можно считать собственным?

  14. Температурная зависимость химического потенциала в примесном полупроводнике донорного (акцепторного) типа при низких температурах.

  15. Расчет уровня химпотенциала при температурах выше комнатной.

  16. Понятие подвижности, ее связь с эффективной массой и временем релаксации.

  17. Проводимость, ее связь с подвижностью носителей. Понятие эффективной массы для расчета проводимости в полупроводнике с анизотропным законом дисперсии.

  18. Механизмы рассеяния и подвижность. Подвижность в случае действия нескольких механизмов рассеяния.

  19. Дрейф в электрическом поле. Механизмы насыщения дрейфовой скорости.

  20. Явление перехода электронов в боковые долины в GaAs. Эффект Ганна.

  21. Диффузия свободных носителей. Соотношение Эйнштейна.

  22. Основные уравнения, описывающие движение свободных носителей. Связь между коэффициентом диффузии и подвижностью. Диэлектрическая релаксация.

  23. Дрейф и диффузия неравновесных носителей в полупроводниках: основное уравнение, амбиполярный коэффициент диффузии и подвижность.

  24. Специфические свойства системы Si-SiO2, позволившие занять кремнию ведущее положение в микроэлектронике.

  25. Основные элементы планарной технологии на кремнии: выращивание монокристаллов, изготовление пластин, создание диэлектрического покрытия, фотолитография, селективное травление, легирование (ионное и термодиффузия), металлизация, скрайбирование.

  26. Порядок построения зонной диаграммы контакта металл - полупроводник (работа выхода, электронное сродство, уровень химического потенциала).

  27. Запирающий контакт металл - полупроводник Шотки: зонная диаграмма в приближении области обеднения, ход электрического поля и потенциала в области объемного заряда.

  28. Емкость обратно смещенного барьера Шотки. Определение концентрации легирующей примеси и высоты барьера из измерений вольт-фарадной характеристики. Варикап.

  29. Вольт - амперная характеристика идеального барьера Шотки.

  30. Омический контакт к полупроводнику: идеальный омический контакт Шотки и туннельный контакт.

  31. Зонная диаграмма p-n перехода. Внутреннее электрическое поле и потенциал в зависимости от уровня легирования. Толщина слоя обеднения в p- и n-областях.

  32. Обратно смещенный p-n переход: энергетическая диаграмма, электрическое поле, емкость.

  33. Туннельный и лавинный пробой обратно смещенного p-n перехода: стабилитрон.

  34. Вольт-амперная характеристика p-n перехода: дырочная и электронная компоненты тока. Явление инжекции не основных носителей.

  35. Биполярный транзистор: энергетическая диаграмма, принцип работы.

  36. Основные параметры, характеризующие работу биполярного транзистора: коэффициенты инжекции и переноса тока через базу. Коэффициент передачи транзистора по току в схеме с ОБ и коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ.

  37. Система металл - окисел - полупроводник: энергетическая диаграмма в случаях обогащения, обеднения и инверсии.

  38. Емкость структуры металл-окисел-полупроодник в зависимости от напряжения.

  39. Накопление заряда в МОП структуре в режиме "инверсия". Приборы с зарядовой связью.

  40. Полевой транзистор с изолированным затвором на основе структуры металл-окисел-полупроводник (МОП-транзистор).

  41. Транзисторы на основе структур GaAs-AlGaAs с высокоподвижным электронным газом: зонная диаграмма, принцип работы.

  42. Принцип работы силовых транзисторов со статической индукцией с вертикальным каналом.

the-discovery-of-the-unconsciouns-stranica-6.html
the-downfall-of-china-essay-research-paper.html
the-english-language-centre-mezhdunarodnij-molodezhnij-centr-gruppovoj-zaezd-151-vozrast-ot-16-let.html
the-f-oreign-experience-of-organization-and-financing-of-the-state-private-partnership.html
the-filiatra-legacy-novosti-mirovogo-i-rossijskogo-sudohodstva.html
the-formation-of-professional-communicative-a-a-pimerzin-zamestiteli-glavnogo-redaktora.html
  • college.bystrickaya.ru/32-nalogovoe-planirovanie-putem-vibora-alternativnoj-sistemi-nalogooblozheniya.html
  • education.bystrickaya.ru/3-vmesto-zaklyucheniya-neobhodimost-prekrasheniya-szhiganiya-othodov-alternativnie-puti-resheniya-problemi.html
  • lecture.bystrickaya.ru/4-opisanie-i-rabota-sistemi-mokrogo-hraneniya-rekonstrukciya-i-tehnicheskoe-perevooruzhenie-predpriyatiya-dlya-obespecheniya.html
  • tetrad.bystrickaya.ru/uchebno-metodicheskij-kompleks-disciplini-tovarovedenie-i-ekspertiza-vkusovih-tovarov.html
  • books.bystrickaya.ru/chast-ostrova-i-zasipal-peplom-cvetushie-goroda-na-nem-no-i-nanes-ogromnij-usherb-v-n-ivanov-tajni-gibeli-civilizacij.html
  • tests.bystrickaya.ru/mdou-detskij-sad-23-kolokolchik-s-chusovitino-bank-ucheta-detej-dlya-predostavleniya-mest-v-municipalnih-doshkolnih.html
  • thesis.bystrickaya.ru/pravila-zemlepolzovaniya-i-zastrojki-bogashevskogo-selskogo-poseleniya-tomskogo-rajona-tomskoj-oblasti-primenitelno-k-chasti-territorii-poseleniya-mkr-anikino.html
  • universitet.bystrickaya.ru/tema-14-organizaciya-reklamnoj-deyatelnosti-uchebno-metodicheskij-kompleks-rekomendovano-redakcionno-izdatelskim.html
  • pisat.bystrickaya.ru/tablica-7-raschet-stoimostnoj-ocenki-godovogo-prirodoohrannogo-effekta-ot.html
  • obrazovanie.bystrickaya.ru/problemi-zakonnosti-ponyatie-principi-garantii.html
  • nauka.bystrickaya.ru/uchebno-metodicheskij-kompleks-na-2011-2012-uchebnij-god-1-klassi-stranica-9.html
  • lecture.bystrickaya.ru/54cap-otdel-kadrov-joblcard-ru-obshie-voprosi-lcardlcard-ru.html
  • holiday.bystrickaya.ru/o-prepodavanii-tehnologii-2010-2011-uchebnom-godu-normativno-pravovie-dokumenti-prepodavanie-predmeta-v-2010-2011-uchebnom-godu.html
  • school.bystrickaya.ru/gotichne-rozumnnya-krasi.html
  • znanie.bystrickaya.ru/aventyura-xxi-o-tom-kak-krimhilda-ehala-k-gunnam-v-g-admoni-pesn-o-nibelungah.html
  • laboratornaya.bystrickaya.ru/rabochaya-programma-disciplina-teplotehnika-naimenovanie-disciplini-soglasno-uchebnomu-planu-stranica-2.html
  • znanie.bystrickaya.ru/4-rejting-kso-metodika-s-n-smirnov-gosudarstvo-i-modernizaciya.html
  • studies.bystrickaya.ru/izderzhki-obrasheniya-v-sovremennoj-sisteme-upravleniya-torgovim-predpriyatiem.html
  • lektsiya.bystrickaya.ru/pri-uchastii-dmitriya-bedareva-stranica-3.html
  • knowledge.bystrickaya.ru/o-v-kononova-vladivostokskij-gosudarstvennij-universitet-ekono-stranica-14.html
  • kolledzh.bystrickaya.ru/a-kucherena-prizval-glavu-mosgorsuda-podat-v-otstavku-novosti-rbk-on-line-smi-moskva-10-03-2011-17-stranica-23.html
  • tetrad.bystrickaya.ru/vnutrifrakcionnaya-rabota-radio-gosduma-rf-monitoring-smi-12-dekabrya-2006-g.html
  • lektsiya.bystrickaya.ru/postanovlenie-optimiziruet-process-provedeniya-rassledovaniya-predshestvuyushego-vvedeniyu-specialnih-zashitnih-mer-antidempingovih-mer-ili-kompensacionnih-mer.html
  • composition.bystrickaya.ru/perevod-s-franc-a-a-veselovskogo.html
  • uchenik.bystrickaya.ru/kriminalisticheskaya-harakteristika-dtp-chast-4.html
  • nauka.bystrickaya.ru/urok-v-forme-poznavatelno-intellektualnoj-igri-umniki-i-umnici.html
  • textbook.bystrickaya.ru/issledovanie-strukturi-sistemi-peredachi-informacii-i-modelirovanie-razlichnih-tipov-signalov.html
  • education.bystrickaya.ru/247-zashita-peredachi-dannih-data-line-security-rukovodstvo-po-programmirovaniyu-soderzhanie-istoriya-izmenenij.html
  • lesson.bystrickaya.ru/rok-akademicki-stranica-48.html
  • predmet.bystrickaya.ru/sostoyalis-peregovori-kuzbasskih-predprinimatelej-s-predstavitelyami-delovih-krugov-severo-kazahstanskoj-oblasti-sko.html
  • pisat.bystrickaya.ru/torgovie-nacenki-i-skidki.html
  • predmet.bystrickaya.ru/rm-rilke-otchet-po-individualnomu-issledovatelskomu-proektu-07-01-178-vipolnennomu-pri-podderzhke-nauchnogo-fonda-gu-vshe.html
  • reading.bystrickaya.ru/llektiva-prioritetnimi-ostayutsya-napravleniya-grazhdansko-patrioticheskogo-i-duhovno-nravstvennogo-stanovleniya-lichnosti-rebenka-visokaya-trebovatelnost-k-urovn.html
  • notebook.bystrickaya.ru/i-nauchno-obrazovatelnij-kompleks-tehnologii-izucheniya-osvoeniya-prognozirovaniya-i-upravleniya-georesursami-i-geosistemami.html
  • learn.bystrickaya.ru/glava-11-registraciya-tehnicheskoe-osvidetelstvovanie-i-razreshenie-na-ekspluataciyu.html
  • © bystrickaya.ru
    Мобильный рефератник - для мобильных людей.